SiC半导体器件相关标准及解读

(1)相关标准包括：

①　AQG324-2021车规级半导体功率模块测试认证规范

②　AEC-Q101汽车级半导体分立器件应力测试

试验项目:

    高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）、高温高湿反向偏压试验（H3TRB）、间歇运行寿命（IOL）、功率和温度循环:秒级、分钟级（PCs/PCmin）等。

该类型集成的装置主要包括环境试验箱、辅助供电电源模块、样品供电电源模块、驱动控制模块、工控系统、数据采集装置、工装夹具等组成。公司结合目前SiC MOSFET器件的参数特点，提升设备的试验能力。

SiC MOSFET参数性能特点及对比

  SiCMOSFET器件以其耐高温、耐高压、高频率、导通损耗小、低开关损耗和漏电流低等特性，能有效实现电力电子系统的高效率、小型化、轻量化、高功率密度等要求，适用于低损耗、高频率和高温的应用场合。

为了防止触电的发生,请不要掀开仪器的盖子。本仪器内部所有的零件绝对不需使用者维护。如果仪器有异常情况发生，请寻求我实验室给予维护。

定期维护 

交流电源供应器、输入电源线各相关附件等每年至少要仔细检验和校验一次，以保护使用者的安全和仪器的精确性。

了解更多关于产品信息，欢迎来电咨询和到公司参观访问。
地址：广州市增城朱村大道西76-78号1号楼

咨询热线：020-32399284

联系人：陈先生 13925006883、cb@gzsairui.com